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  • 長光系企業風采展示第十九期:吉光半導體科技有限公司——專注高端半導體激光芯片、激光器研發與服務


    【公司介紹】

    吉光半導體科技有限公司(簡稱:吉光半導體)成立于2020年6月,是吉林省政府、長春市政府、經開區政府與中國科學院長春光機所聯合投入14億元成立的高新技術企業,并承建了國家半導體激光技術創新中心。公司現有建筑面積2.8萬平方米,一期潔凈廠房3500平方米,具有完備的廠務配套設施。

    【榮譽資質】

    公司曾獲國家級高新技術企業,吉林省半導體激光產業創新中心、吉林省半導體激光科技創新中心依托單位,吉林省技術標準創新基地(半導體激光)建設單位、吉林省新型研發機構等多項榮譽資質。通過ISO9001、ISO14001、ISO45001三大體系認證。

     

    【技術服務】

    公司以高端半導體激光芯片和激光器的設計與制造為核心競爭力,建有國際先進的MOCVD外延生長、晶圓制備、解理/鍍膜、芯片封裝、測試表征、失效分析、可靠性驗證以及功能模塊等全流程工藝平臺和4-6英寸GaAs晶圓產品線、2-4英寸InP晶圓產品線及研發線,全面掌握半導體激光器芯片全套生產工藝技術。

        1.MOCVD 外延生長具備自主開展多種材料體系,涵蓋2-6寸晶圓外延結構生長的能力;可自主生長出界面陡峭的GaAs、InP基三、四元材料,以及邊發射、垂直腔面發射等多種器件的外延結構;可自主表征外延結構的波長、組分、摻雜等信息

        2.晶圓流片:光刻、刻蝕、介質膜沉積、臨時鍵合、減薄/拋光、全自動排巴、退巴。

     

        3.離子注入

    類目

    規格

    注入晶圓尺寸

    4-6英寸及小片

    注入能量范圍

    30-380 keV (Single Charge)

    注入元素

    H+、He+

    注入角度

    0°-45°

    劑量范圍

    5e12-1e17ions/cm3

    溫度

    整晶圓:≤550℃、小片:300℃

        4.腔面鍍膜:Si、Ta2O5 、Al2O3、Ti3O5、SiO2  ?可鍍高反膜HR和增透膜AR,反射率:0.01%-99.5%

        5.濕法氧化:Al(Ga)As濕氮氧化,晶片尺寸:4寸、6寸及不規則小片均勻性良好,可及時檢測氧化孔徑大小

        6.封裝

     

     

      

                           

    【產品介紹】

     

    1.雙邊布拉格反射波導激光器

    波長:808nm、880nm、905nm、976nm

    功率:CW>6W  QCW>10W

    垂直發散角:<10℃,近圓形光斑

     

     

    特點:實現高峰值功率、極低發散角近圓形光束輸出

     

     

    2.高功率半導體激光芯片

    波長

    Wavelength

    780nm

    808nm

    808nm

    915nm

    輸出功率

    Optical Output power

    5W/7W

    2W/3W/5W/8W/10W

    35W

    12W/10W/18W

    工作模式

    Operation mode

    CW

    CW

    QCW

    CW

     

    波長

    Wavelength

    780nm

    808nm

    808nm

    976nm

    輸出功率

    Optical Output power

    50W/100W

    50W/100W

    200W

    300W

    工作模式

    Operation mode

    CW/QCW

    CW/QCW

    QCW

    QCW

     

        3.光纖耦合模塊

    波長

    功率

    光纖芯徑

    455nm

    5W-1000W

    105μm、200μm

    525nm

    1W-100W

    50μm、105μm、200μm

    638nm

    1W-100W

    105μm、200μm

    780nm

    10W -200W

    105μm、200μm

    808nm

    25W -300W

    105μm、200μm

    915nm

    10W -300W

    105μm、200μm

    940nm

    10W -300W

    105μm、200μm

    976nm

    10W-450W

    105μm、200μm

    1470nm

    5W-100W

    200μm、400μm

    450nm-1470nm波長范圍可選,1W-1000W功率定制,支持波長鎖定,多波長混合應用,支持可插拔光纖結構,光纖探測,可見光指示等功能定制化。

     

    【未來愿景】

    以引領國家半導體激光產業發展、保障產業鏈安全自主可控為使命,突破制約我國半導體激光產業長遠發展關鍵技術瓶頸,解決半導體激光芯片“卡脖子”難題,成為我國光通信、智能感知和先進制造領域高質量發展的重要戰略科技力量。

     

    【聯系方式】

    公司地址:吉林省長春市經濟技術開發區淄博路1783-16號

    聯系方式:趙女士0431-85552059/+86-13147656157

    官方網站:jlight.net.cn/

    電子郵箱:sales@jlight.net.cn